エッチング受託加工サービス

絶縁膜のエッチングやSiエッチングまで対応可能です。
Si Deep RIEも多くの実績がございます。
あらゆるパターンでのエッチング対応が可能ですので、
お気軽にお問合せ下さい。

ドライエッチング

上部見出し

エッチング装置	用途	対応基板サイズ	備考
Deep RIE	Si深堀りエッチング用	φ8, 12インチ	静電チャック方式ガス：C4F8/SF6/Ar/O2/N2/CF4 独自開発したプラズマ源を使用高速エッチングで、高マスク選択比を維持し、良好な均一性を実現 TSV用ホール形成以外に、マスク形成、ウェーハ薄厚化等のプロセスに対応可能
ICP-RIE （多用途用）	多目的エッチング用（SiO2/メタル　など）	～6インチ	ガス：CF4/CHF3/SF6/Ar/O2/N2/CI2/BCI3
RIE	SiO2/SiN/Siエッチング用	～8インチ	静電チャック方式ガス：CF4/CHF3/SF6
RIE （多用途用）	多目的エッチング用（金属膜/圧電膜　など）	～6インチ	ガス：CI2/BCI3/SF6/CF4/CHF3/Ar/N2/O2
アッシング装置	デスミア処理用	～12インチ	ガス：CF4/Ar/N2/O2 レジスト除去自然酸化膜除去

ウェットエッチング

エッチング装置	用途	対応基板サイズ	備考
HFエッチング装置	SiO2犠牲層エッチング用	～φ8インチ	バッチ処理可能
KOHエッチング槽	Si結晶異方性エッチング用	～φ8インチ	バッチ処理可能
TMAHエッチング槽	Si結晶異方性エッチング用	～8φインチ	バッチ処理可能