加工事例集

  東北マイクロテックの半導体・3D-IC受託加工事例をご紹介します。
  Si Deep RIEによる深掘り加工、TSV Cu埋め込み、フォトリソ、絶縁膜ドライエッチング、Bump形成など、
  研究開発・試作で培った加工技術をご覧いただけます。

 

  Si Deep RIE

直径10μm、深さ50μmおよび100μmのTSVにCuを埋め込んだ断面加工例

図1.Si Deep RIEによるシリコン深掘り加工例(Φ10μm × 深さ50μm/100μm)

  TSV Cu埋め込み

図2.TSV Cu埋め込み加工例(Φ10μm × 深さ50μm/100μm)

  フォトリソ

フォトリソグラフィで形成した1.0μm Viaと2.0μm RDLの微細パターン

図3.微細フォトリソグラフィによる1.0μm Via/2.0μm RDLパターン形成例

  絶縁膜ドライエッチング

絶縁膜ドライエッチングによる幅1~2μm級の微細開口パターン断面

図4.絶縁膜ドライエッチングによる微細開口形成例

  Bump

3D-IC接続用に形成したSnAgはんだマイクロバンプの断面およびSEM像

図5.SnAgはんだバンプ形成例(SEM像)

3D-ICおよび半導体チップ接続向けに形成した微細マイクロバンプのSEM像

図6.3D-IC向け微細バンプ形成例(SEM像)