図1.Si Deep RIEによるシリコン深掘り加工例(Φ10μm × 深さ50μm/100μm)
図2.TSV Cu埋め込み加工例(Φ10μm × 深さ50μm/100μm)
図3.微細フォトリソグラフィによる1.0μm Via/2.0μm RDLパターン形成例
図4.絶縁膜ドライエッチングによる微細開口形成例
図5.SnAgはんだバンプ形成例(SEM像)
図6.3D-IC向け微細バンプ形成例(SEM像)
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Service case study